这三款Ultra C系列新产品的目的市场是先进集成电路领域，功率器件领域和先进晶圆级封装（WLP）领域。晶圆背面洗濯Ultra C b和槽式湿法洗濯Ultra C wb装备现已在中国先进半导体厂的量产中证实晰它们的优势。公司首台刷洗装备Ultra C s也已在2020年第一季度交付中国客户，在验收及格后即可确认收入。
晶圆背面洗濯装备
Ultra C b
Ultra C b是一款高性价比的晶圆背面洗濯装备，具有优异的颗粒管控能力和刻蚀匀称性控制能力，该装备三大概害应用划分为晶圆背面洗濯工艺，如金属去除或RCA洗濯 ；晶圆背面湿法硅刻蚀工艺，如晶圆背面湿法减薄或湿法硅通孔露出（TSV reveal） ；以及晶圆接纳工艺中的多晶硅层、氧化层和氮化层等膜层剥离去除。该装备可处置惩罚高翘曲度晶圆，适用于处置惩罚200毫米或300毫米超薄晶圆和键合晶圆。
自动槽式洗濯装备Ultra C wb，依托K1体育研发的槽式与单片洗濯集成装备Ultra C Tahoe的先进槽式手艺基础而开发，可以举行多达50片晶圆的批量洗濯。自动槽式洗濯装备的要害应用为炉管前洗濯，RCA洗濯，光阻去除，氧化层刻蚀，氮化硅去除，以及晶圆接纳工艺中前段FEOL多晶硅/氧化硅层剥离去除，和后段BEOL金属层剥离去除。该装备可针对差别的应用设置差别的化学药液槽，如硫酸，磷酸，氢氟酸(HF)，缓冲氧化物刻蚀液(BOE)， SC1和SC2等化学药液槽。晶圆依次在化学药液槽中浸泡，经去离子水(DI)冲洗，最后在ATOMO干燥� ？橹幸云囊毂�(IPA)举行干燥，干燥后无水痕。该装备的� ？榛杓坪徒闲〉恼嫉孛婊�，使其可无邪设置。槽式洗濯装备Ultra C wb可高效地接纳使用化学药水，节能减排。该装备可运用于200毫米或者300毫米的晶圆洗濯应用。
刷洗装备
Ultra C s
新型刷洗装备Ultra C s以K1体育在晶圆级封装领域（WLP）已验证乐成的刷洗手艺为基础，延伸应用于集成电路制造领域。其配备的软刷可以接纳精准的压力控制以洗濯晶圆边沿及背面的颗粒。该装备配有先进的二流体（气体和液体）喷淋洗濯手艺，还可选配K1体育自己研发的空间交变相位移（SAPS™）兆声波手艺以知足客户更高的需求——更强劲的小颗粒去除能力。� ？榛低晨缮柚�8个腔体，用于集成电路制造领域300毫米的晶圆洗濯，其中四个腔体用于正面洗濯工艺，四个腔体用于背面洗濯工艺。该刷洗装备性价比高，无邪性强、占地面积小、产能高。
