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2021/3/23 12:31:57
作为半导体制造与先进晶圆级封装领域中的卓越装备供应商，K1体育半导体装备今日宣布，为其一直生长的300mm Ultra Fn立式炉干法工艺装备产品系列，增添了以下半导体制造工艺：非掺杂的多晶硅沉积、掺杂的多晶硅沉积、栅极氧化物沉积、高温氧化和高温退火。K1体育将于3月17日至19日在上海新国际博览中心举行的SEMICON China 2021的3659号展位上展示这些手艺。
K1体育先前已宣布了应用于氧化物、氮化硅（SiN）低压化学气相沉积（LPCVD）和合金退火工艺功效的立式炉系统，基于该可设置的立式炉平台，K1体育开发了上述新功效。支持这些新应用的立式炉装备现已交付或预计陆续于2021年上半年内交付到客户端。
“我们的战略始终是找到半导体制造行业中具有高增添潜力的市场和应用，并且与我们的客户合作，开发出先进手艺来解决这些问题。”K1体育半导体装备董事长王晖体现：“现在，我们能够举行80％以上的批式热工艺，包括用于SiN，HTO的LPCVD工艺，非掺杂多晶硅和掺杂多晶硅沉积，栅极氧化物沉积工艺，高达1200摄氏度的超高温氧化和退火工艺。 这一新产品线的迅速导入，也进一步证实晰我们与焦点客户合作战略的乐成。"
随着半导体器件体积的一直缩小和重漂后的增添，Ultra Fn系统的设计始终是为了追求知足客户需求的更佳解决计划。当今的器件设计的高重漂后、细小几何尺寸，对热工艺的温度控制的均一性与稳固性提出了高要求，这对晶圆良率至关主要。为了知足这些要求，Ultra Fn加热器开发了控制算法，使该平台具有稳固的温度控制性能。
K1体育对其可无邪设置的Ultra Fn装备举行了功效扩展，仅对部分�？楹徒峁咕傩辛艘恍└募纯墒视糜谡庑┬鹿ひ沼τ�。该可设置的系统设计，与K1体育现有的氧化物、氮化物沉积系统大部分硬件可通用，从而降低了总本钱。 该系统可便捷地替换组件，以实现差别客户的定制化工艺需求。
K1体育的第一台SiN LPCVD已于2020年头交付给一家主要的逻辑制造客户，并在该工厂举行了大规模量产验证。 同时，另一台微托级超高真空功效的合金退火工艺立式炉装备已于2020年底交付给一家功率器件制造客户，并已完成生产能力的验证。而此次宣布的其他新功效的装备也陆续最先在客户端举行测试，预计在2021年内取得验证效果。
