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K1体育半导体宣布首台应用于化合物半导体制造中晶圆级封装和电镀应用的电镀装备

2021/8/31 13:30:36

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    作为半导体制造与先进晶圆级封装领域中的卓越装备供应商，K1体育半导体装备今日宣布了新产品——Ultra ECP GIII电镀装备，以支持化合物半导体(SiC, GaN)和砷化镓(GaAs) 晶圆级封装。该系列装备还能将金（Au）镀到背面深孔工艺中，具有更好的匀称性和台阶笼罩率。Ultra ECP GIII还配备了全自动平台，支持6英寸平边和V型槽晶圆的批量工艺，同时团结了K1体育半导体的第二阳极和高速栅板手艺，可实现更佳性能。

    K1体育半导体装备董事长王晖体现:“随着电动汽车、5G通讯、RF和AI应用的强劲需求，化合物半导体市场正在蓬勃生长。一直以来，化合物半导体制造工艺的自动化水平有限，并且受到产量的限制。别的，大大都电镀工艺均接纳匀称性较差的笔直式电镀装备举行。K1体育新研发的Ultra ECP GIII水平式电镀装备战胜了这两个难题，以知足化合物半导体一直提升的产量和先进性能需求。”
 
    K1体育的Ultra ECP GIII装备通过两项手艺来实现性能优势：K1体育半导体的第二阳极和高速栅板手艺。第二阳极手艺可通过有用调解晶圆级电镀性能，战胜电场漫衍差别造成的问题，以实现卓越的匀称性控制。它可以应用于优化晶圆边沿区域图形和V型槽区域，并实现3%以内的电镀匀称性。
 
    K1体育的高速栅板手艺可抵达更强的搅拌效果，以强化传质，从而显著改善深孔工艺中的台阶笼罩率，同时提升的办法笼罩率可降低金薄膜厚度，从而为客户节约本钱。
 
    K1体育半导体的Ultra ECP GIII已取得来自中国化合物半导体制造商的两个订单。公司第一台订单装备接纳第二阳极手艺的铜-镍-锡-镀银�？�，且集成真空预湿腔体和后道洗濯腔体，应用于晶圆级封装，已于上月交付。第二台订单装备适用于镀金系统，将于今年下一季度交付客户端。
 
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